應(yīng)用領(lǐng)域
SOLUTION
電子、半導(dǎo)體
碳化硅陶瓷材料于硅相匹配的熱膨脹系數(shù)、耐磨損、耐化學(xué)腐蝕，重量輕、彈性模量高以及良好的比剛度和光學(xué)加工性能，特別適合用于半導(dǎo)體裝備中使用的精密陶瓷結(jié)構(gòu)件。如碳化硅多孔真空吸盤(pán)、碳化硅凸點(diǎn)吸盤(pán)、碳化硅拋光盤(pán)和承載盤(pán)、碳化硅機(jī)械手臂、晶舟、碳化硅導(dǎo)軌和支架等。爐管、懸臂槳、晶舟等用于晶圓擴(kuò)散爐。
半導(dǎo)體設(shè)備需要大量的精密陶瓷部件。由于陶瓷具有高硬度、高彈性模量、高耐磨、高絕緣、耐腐蝕、低膨脹等優(yōu)點(diǎn)，可用作硅片拋光機(jī)、外延/氧化/擴(kuò)散等熱處理設(shè)備、光刻機(jī)、沉積設(shè)備，半導(dǎo)體刻蝕設(shè)備，離子注入機(jī)等設(shè)備的零部件。半導(dǎo)體陶瓷有氧化鋁、氮化硅、氮化鋁、碳化硅等，在半導(dǎo)體設(shè)備中，精密陶瓷的價(jià)值約占16%左右。
碳化硅陶瓷(SiC)，碳化硅具有高導(dǎo)熱性、高溫機(jī)械強(qiáng)度、高剛度、低熱膨脹系數(shù)、良好的熱均勻性、耐腐蝕性、耐磨耗性等特性。碳化硅在高達(dá)1400℃的極端溫度下，其仍能保持良好的強(qiáng)度。采用碳化硅陶瓷的研磨盤(pán)由于硬度高而磨損小，且熱膨脹系數(shù)與硅晶片基本相同，因而可以高速研磨拋光。
在硅晶片生產(chǎn)時(shí)，需要經(jīng)過(guò)高溫?zé)崽幚?，常使用碳化硅夾具運(yùn)輸，其耐熱、無(wú)損，可在表面涂敷類(lèi)金剛石（DLC）等涂層，可增強(qiáng)性能，緩解晶片損壞，同時(shí)防止污染擴(kuò)散。此外，碳化硅陶瓷還可應(yīng)用在XY平臺(tái)、基座、聚焦環(huán)、拋光板、晶圓夾盤(pán)、真空吸盤(pán)、搬運(yùn)臂、爐管、晶舟、懸臂槳等。
顯然，在半導(dǎo)體設(shè)備制造中，先進(jìn)陶瓷作為關(guān)鍵部件材料，扮演了重要角色。我國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)要想是實(shí)現(xiàn)高質(zhì)量的發(fā)展，就要先從精密陶瓷零部件方面，著手解決半導(dǎo)體制造設(shè)備的卡脖子問(wèn)題，從根本上來(lái)推動(dòng)我國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)的發(fā)展。
擴(kuò)散爐是半導(dǎo)體生產(chǎn)線前工序的重要工藝設(shè)備之一，用于大規(guī)模集成電路、分立器件、電力電子、光電器件和光導(dǎo)纖維等行業(yè)的擴(kuò)散、氧化、退火、合金及燒結(jié)等工藝。
擴(kuò)散工藝的主要用途是在高溫條件下對(duì)半導(dǎo)體晶圓進(jìn)行摻雜，即將元素磷、硼擴(kuò)散入硅片，從而改變和控制半導(dǎo)體內(nèi)雜質(zhì)的類(lèi)型、濃度和分布，以便建立起不同的電特性區(qū)域。
最新的低壓磷擴(kuò)散利用低壓氛圍可以得到更好的方塊電阻均勻性和更大的生產(chǎn)批量，同時(shí)對(duì)環(huán)境的影響最小。
氧化工藝是使硅片表面在高溫下與氧化劑發(fā)生反應(yīng)，生長(zhǎng)一層二氧化硅膜。
氧化方法有干氧和濕氧，濕氧包括水汽氧化和氫氧合成兩種。
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電子、半導(dǎo)體
碳化硅陶瓷材料于硅相匹配的熱膨脹系數(shù)、耐磨損、耐化學(xué)腐蝕，重量輕、彈性模量高以及良好的比剛度和光學(xué)加工性能，特別適合用于半導(dǎo)體裝備中使用的精密陶瓷結(jié)構(gòu)件。如碳化硅多孔真空吸盤(pán)、碳化硅凸點(diǎn)吸盤(pán)、碳化硅拋光盤(pán)和承載盤(pán)、碳化硅機(jī)械手臂、晶舟、碳化硅導(dǎo)軌和支架等。爐管、懸臂槳、晶舟等用于晶圓擴(kuò)散爐。
半導(dǎo)體設(shè)備需要大量的精密陶瓷部件。由于陶瓷具有高硬度、高彈性模量、高耐磨、高絕緣、耐腐蝕、低膨脹等優(yōu)點(diǎn)，可用作硅片拋光機(jī)、外延/氧化/擴(kuò)散等熱處理設(shè)備、光刻機(jī)、沉積設(shè)備，半導(dǎo)體刻蝕設(shè)備，離子注入機(jī)等設(shè)備的零部件。半導(dǎo)體陶瓷有氧化鋁、氮化硅、氮化鋁、碳化硅等，在半導(dǎo)體設(shè)備中，精密陶瓷的價(jià)值約占16%左右。
碳化硅陶瓷(SiC)，碳化硅具有高導(dǎo)熱性、高溫機(jī)械強(qiáng)度、高剛度、低熱膨脹系數(shù)、良好的熱均勻性、耐腐蝕性、耐磨耗性等特性。碳化硅在高達(dá)1400℃的極端溫度下，其仍能保持良好的強(qiáng)度。采用碳化硅陶瓷的研磨盤(pán)由于硬度高而磨損小，且熱膨脹系數(shù)與硅晶片基本相同，因而可以高速研磨拋光。
在硅晶片生產(chǎn)時(shí)，需要經(jīng)過(guò)高溫?zé)崽幚恚Ｊ褂锰蓟鑺A具運(yùn)輸，其耐熱、無(wú)損，可在表面涂敷類(lèi)金剛石（DLC）等涂層，可增強(qiáng)性能，緩解晶片損壞，同時(shí)防止污染擴(kuò)散。此外，碳化硅陶瓷還可應(yīng)用在XY平臺(tái)、基座、聚焦環(huán)、拋光板、晶圓夾盤(pán)、真空吸盤(pán)、搬運(yùn)臂、爐管、晶舟、懸臂槳等。
顯然，在半導(dǎo)體設(shè)備制造中，先進(jìn)陶瓷作為關(guān)鍵部件材料，扮演了重要角色。我國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)要想是實(shí)現(xiàn)高質(zhì)量的發(fā)展，就要先從精密陶瓷零部件方面，著手解決半導(dǎo)體制造設(shè)備的卡脖子問(wèn)題，從根本上來(lái)推動(dòng)我國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)的發(fā)展。
擴(kuò)散爐是半導(dǎo)體生產(chǎn)線前工序的重要工藝設(shè)備之一，用于大規(guī)模集成電路、分立器件、電力電子、光電器件和光導(dǎo)纖維等行業(yè)的擴(kuò)散、氧化、退火、合金及燒結(jié)等工藝。
擴(kuò)散工藝的主要用途是在高溫條件下對(duì)半導(dǎo)體晶圓進(jìn)行摻雜，即將元素磷、硼擴(kuò)散入硅片，從而改變和控制半導(dǎo)體內(nèi)雜質(zhì)的類(lèi)型、濃度和分布，以便建立起不同的電特性區(qū)域。
最新的低壓磷擴(kuò)散利用低壓氛圍可以得到更好的方塊電阻均勻性和更大的生產(chǎn)批量，同時(shí)對(duì)環(huán)境的影響最小。
氧化工藝是使硅片表面在高溫下與氧化劑發(fā)生反應(yīng)，生長(zhǎng)一層二氧化硅膜。
氧化方法有干氧和濕氧，濕氧包括水汽氧化和氫氧合成兩種。